士兰微:杭州士兰微电子股份有限公司关于“提质增效重回报”行动方案的公告

证券代码：600460 证券简称：士兰微 编号：临 2024-074
杭州士兰微电子股份有限公司
关于“提质增效重回报”行动方案的公告
本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。
为贯彻落实国务院《关于进一步提高上市公司质量的意见》的要求，践行“以投资者为本”的发展理念，推动上市公司高质量发展和投资价值提升，保护投资者尤其是中小投资者合法权益，杭州士兰微电子股份有限公司（以下简称“公司”）结合自身发展战略、经营情况和外部环境，以及对公司未来发展的信心和中长期价值认可，制定了《“提质增效重回报”行动方案》。具体如下：
一、聚焦做强主业，提升经营质量
2000 年 7 月，公司在整体变更为股份有限公司时，将“在提高公司经营业
绩的同时，为国家集成电路产业发展做出一些贡献”作为企业宗旨，载入《公司章程》。2003 年 3 月，公司作为国内第一家民营芯片设计公司在上海证券交易所挂牌上市。2016 年，公司确立了“以国际上先进的 IDM 厂商为学习标杆，争取早日成为具有自主品牌、具有世界一流竞争力的综合型的半导体产品供应商”这一长期发展目标。
上市 20 多年来，公司秉持“诚信、忍耐、探索、热情”的企业精神，坚守IDM 模式，深耕半导体和集成电路主业，实现了从“5 吋”到“12 吋”的跨越式发展。公司已在功率半导体、MEMS 传感器、模拟电路、光电产品等领域构筑了核心竞争力，已经成为国内最主要的综合型半导体产品公司之一。根据集微咨询发布的 2021-2023 年《中国半导体企业 100 强》名单，公司均位列第九名。
最近三年（2021 年至 2023 年），公司始终贯彻“持续提升综合能力，发挥
IDM 模式的优势，聚焦高端客户和高门槛市场；抓住国内高门槛行业和客户积极导入国产芯片的时间窗口，利用我们有多条不同尺寸硅芯片产线和化合物产线的特点拓展工艺技术与产品平台”这一指导方针，持续在特色工艺平台建设、新技术新产品开发、与战略级大客户合作等方面加大投入，加快产品结构调整的步
伐。2023 年公司营业收入达到 93.40 亿元人民币，较 2020 年的 42.81 亿元增长
118%。

2024 年，公司依托 IDM 模式，继续加快推进符合车规级、工业级产品设计、
生产、质量、成本、交付要求的体系能力建设，大力拓展大型白电、电动汽车、新能源、算力和通讯、工业等高门槛市场，有力推动了公司主营业务的快速成长。以公司的 IPM 模块、IGBT 产品、SiC 功率器件等产品为例：
（一）公司 IPM 模块自 2012 年开始进入白电、工业市场后，目前已广泛应
用于下游家电、工业和汽车客户的变频产品，生产规模及市场占有率位居国内前
列。根据《产业在线》公布的统计数据，公司位列“2023 年 IPM 品牌 TOP5 企
业”白色家电市场份额第一。2024 年上半年，国内多家主流的白电整机厂商（美的、格力、海尔、海信、奥克斯、长虹等）在变频空调等白电整机上使用了超过
8,300 万只士兰 IPM 模块，较 2023 年同期增加了 56%；公司 IPM 模块的营业收
入达到 14.13 亿元人民币，较上年同期增长约 50%。
今年 3 月，国务院公布“两新”行动方案；7 月，国家发展改革委、财政部
联合印发支持“两新”的具体举措。截至目前，中央财政支持“两新”的 3000亿元特别国债资金已全部下达，对拉动投资和拉动消费的“撬动”作用明显。为抓住市场机遇，公司今年已安排了对 12 吋线模拟电路、IGBT 等功率器件芯片产能的扩充、安排了对 IPM 功率模块封装测试生产线产能的扩充，预计 2025 年公司 IPM 产品出货量将继续保持 30%以上的成长，持续提高在白电、工业、汽车等领域的市场份额，推动公司经营业绩的进一步改善。
（二）公司 IGBT 产品自 2013 年开始应用于家电产品后发展迅速，至 2023
年已实现汽车、光伏、工业、家电等领域的大批量供应，实现了从消费级到汽车
级、工业级产品的迭代升级。2023 年，公司 IGBT 的营业收入已达到 14 亿元，
较 2022 年同期增长 140%以上。2024 年上半年，公司 IGBT 和 SiC（模块、器件）
的营业收入已达到 7.83 亿元，较去年同期增长 30%以上。2024 年，基于公司自
主研发的 V 代 IGBT 和 FRD 芯片的电动汽车主电机驱动模块，已在比亚迪、吉
利、零跑、广汽、汇川、东风、长安等国内外多家客户实现批量供货；用于汽车的 IGBT 器件（单管）、MOSFET 器件（单管）已实现大批量出货；用于光伏的IGBT 器件（成品）、逆变控制模块、SiC MOS 器件也实现批量出货。同时，公司应用于汽车主驱的 IGBT 和 FRD 芯片已在国内外多家模块封装厂批量销售。
2024 年第三季度，公司 8 吋线、12 吋线 IGBT 芯片产能已接近满载，公司已安
排技改资金进一步提升 IGBT 芯片产能，预计 2025 年公司在汽车、新能源等市
场的 IGBT 产品的市场份额将大幅度提升。
（三）公司自 2021 年突破并掌握平面栅 SiC 功率器件关键技术，截至目前
已完成第Ⅲ代平面栅 SiC MOSFET 技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。基于公司自主研发并生产的Ⅱ代 SiC MOSFET 芯片生产的电动汽车主电机驱动模块，已实现向下游汽车用户批量供货，公司成为国内首家采用自主研发的Ⅱ代 SiC 芯片生产汽车主驱用功率模块并批量供货的厂家。目前，基
于公司自主研发的 IV 代 SiC MOSFET 芯片即将完成验证，预计 2025 年实现批
量供货。2024 年，公司加快推进 6 吋 SiC MOSFET 产能建设，截至目前已具备
9,000 片/月的 6 吋 SiC 芯片生产能力。公司将进一步加大 SiC 芯片生产线的技术
改造投入，加快产品技术迭代，进一步提升市场份额。
2024年1-9月，公司实现营业总收入81.63亿元，较2023年同期增长18.32%；
公司实现归属于母公司股东的净利润 0.29 亿元，较 2023 年同期增加 2.18 亿元。
公司已连续 7 个季度实现营业收入的环比增长；今年前三季度，公司电路和器件成品的销售收入中，已有超过 73%的收入来自大型白电、通讯、工业、新能源、
汽车等高门槛市场，这一数值较 2022 年提高了 3-4 个百分点。公司预计 2024 年
全年营业总收入将突破 100 亿元，这将创造中国大陆本土成长起来的半导体 IDM公司的历史性时刻。
未来，公司将在国家政策的引领下，抓住当前汽车、新能源、算力和通讯等领域快速发展的机遇，充分发挥自身在 IDM 模式下的长期积累以及在功率半导体器件和模块、模拟电路、MEMS 传感器、光电产品等领域的综合竞争优势，进一步推进产品技术迭代和产能结构升级，不断提升产品附加值和产品品牌力，持续推动公司整体营收的较快成长和经营效益的提升。
二、持续研发创新投入，加快发展新质生产力
（一）持续高强度的研发创新投入
公司通过长期高强度的产品和技术研发创新投入，建立了可持续发展的产品
和技术研发体系。最近三年（2021 年至 2023 年）公司累计研发投入约 22.53 亿
元。近些年来，公司研发、迭代了多类别的新技术产品，主要为多品类的模拟电
路，变频控制系统和芯片，MEMS 传感器产品，以第 V 代 IGBT、超结 MOSFET
和高密度沟槽栅MOSFET为代表的硅基功率半导体产品，以1200V SiC MOSFET
为代表的第三代化合物半导体产品；公司完成了多项特色制造工艺技术研发和升级，主要为国内领先的高压 BCD、超薄片槽栅 IGBT、超结高压 MOSFET、高密度沟槽栅 MOSFET、快恢复二极管、MEMS 传感器、SiC MOSFET 器件、GaN
功率器件等。截至 2023 年底，公司共拥有专利 1,171 项，其中发明专利 538 项。
当前，公司研发项目主要围绕先进的车规级和工业级电源管理产品（芯片设计、芯片工艺制造）、车规级和工业级功率半导体器件与模块技术（含化合物SiC 和 GaN 的芯片设计、制造、封装）、MEMS 传感器产品与工艺技术平台（芯片设计、芯片工艺制造和封装）、车规级和工业级的信号链（接口、逻辑与开关、运放、模数\数模转换等）混合信号处理电路（含芯片设计和芯片制造）、光电系列产品（发光二极管及其它光电器件的芯片制造及封装技术）等五大方面进行。
2024 年 1-9 月，公司研发投入 7.55 亿元，同比增长 29.32%，研发投入占营业收
入的比重为 9.25%。未来 5 年，公司预计研发投入占营业收入的比重将保持在8%-10%。公司将持续推动新产品新技术的开发和产业化，不断丰富现有产品群，持续推出高性能、高质量和富有成本竞争力的产品，坚持创新驱动发展，加快培育新质生产力，进一步增强核心竞争能力。
（二）大力发展第三代半导体产业
近年来，公司大力发展以 SiC、GaN 等化合物产品为主的第三代半导体产业。
公司于 2022 年 7 月在厦门制造基地启动了“6 英寸 SiC 功率器件芯片生产线建
设项目”，截至目前已具备 9,000 片/月的 6 吋 SiC 芯片生产能力。2024 年年初，
公司在杭州基地启动了 8 英寸 GaN 功率器件芯片量产线的建设，截至目前公司GaN 芯片生产线已实现初步通线，争取尽快推出第一批车规级和工业级的 GaN功率器件产品。
为进一步完善公司在车规级高端功率半导体领域的战略布局，公司与厦门市
人民政府、厦门市海沧区人民政府于 2024 年 5 月 21 日签署了《战略合作框架协
议》：各方合作在厦门市海沧区建设一条以 SiC MOSFET 为主要产品的 8 英寸
SiC 功率器件芯片制造生产线。该项目分两期建设，项目一期投资规模 70 亿元，
规划产能 3.5 万片/月；二期投资规模约 50 亿元，规划产能 2.5 万片/月。两期建
设完成后，将形成月产 6 万片 8 英寸 SiC 功率器件芯片的生产能力。目前，公司
8 英寸 SiC 芯片生产线正在加快建设中，预计 2025 年年底实现初步通线。

（三）完善人才培养和激励机制
公司建立了较为完善、高效、灵活的人才培养和激励机制，不断加强人才梯队建设，持续完善薪酬体系，拓展员工职业上升通道，为培养和引进高端科技人才创造条件。公司通过制度设计，采用研发奖励、股权激励等方式，鼓励员工创新，支持员工将技术成果申请专利并转化为生产力。公司与国内数家重点高校及科研机构进行产学研合作，成立了博士后科研工作站。2024 年 6 月，公司联合其他单位共同参与的《功率MOS与高压集成芯片关键技术及应用》项目荣获2023年度国家科学技术进步奖二等奖。
目前，公司已拥有一支超过 500 人的集成电路芯片设计研发队伍、超过 3,500
人的芯片工艺、封装技术、测试技术研发和产品应用支持队伍。未来，公司将持续完善人才培养和激励机制，持续培养、孵化、吸引更多的人才，为公司发展新质生产力提供强有力的支撑。
三、加强投资者沟通，重视投资者回报
（一）持续现金分红，重视投资者回报
公司高度重视投资者回报，以长期、稳定、可持续发展为基本立足点，基于公司实际经营情况同时兼顾投资者合理回报，综合考虑发展阶段、战略规划和未来资金需求等因素，制定并执行利润