拓荆科技:2024年半年度报告

公司代码：688072 公司简称：拓荆科技
拓荆科技股份有限公司
2024 年半年度报告

重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分内容。三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人刘静、主管会计工作负责人杨小强及会计机构负责人（会计主管人员）杨小强声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
无
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十二、 其他
□适用 √不适用

目录

第一节 释义......3
第二节 公司简介和主要财务指标......6
第三节 管理层讨论与分析......10
第四节 公司治理......48
第五节 环境与社会责任......51
第六节 重要事项......53
第七节 股份变动及股东情况......84
第八节 优先股相关情况......95
第九节 债券相关情况......95
第十节 财务报告......96
载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人
备查文件目录 员）签名并盖章的财务报表。
报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
报告期、报告期内 指 2024 年 1 月 1 日至 2024 年 6 月 30 日
本报告期末、报告期末 指 2024 年 6 月 30 日
公司、本公司、拓荆科技 指 拓荆科技股份有限公司（含合并报表范围内的子公司）
股东大会 指 拓荆科技股份有限公司股东大会
董事会 指 拓荆科技股份有限公司董事会
监事会 指 拓荆科技股份有限公司监事会
中国证监会 指 中国证券监督管理委员会
元、万元、亿元 指 人民币元、人民币万元、人民币亿元
《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》
《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》
《上市规则》 指 《上海证券交易所科创板股票上市规则》
《公司章程》 指 《拓荆科技股份有限公司章程》
拓荆创益 指 拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，系公司全资子公司
拓荆上海 指 拓荆科技（上海）有限公司，系公司全资子公司
拓荆北京 指 拓荆科技（北京）有限公司，系公司全资子公司
岩泉科技 指 上海岩泉科技有限公司，系公司全资子公司
拓荆键科 指 拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司，系公司控股子公司
拓荆美国 指 Piotech (USA) Inc.，系公司全资子公司
拓荆日本 指 Piotech Tokyo 株式会社，系公司全资子公司
国家集成电路基金 指 国家集成电路产业投资基金股份有限公司
国投上海 指 国投（上海）科技成果转化创业投资基金企业（有限合伙）
中微公司 指 中微半导体设备（上海）股份有限公司
润扬嘉禾 指 青岛润扬嘉禾投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫和 指 共青城芯鑫和投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫全 指 共青城芯鑫全投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫龙 指 共青城芯鑫龙投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫成 指 共青城芯鑫成投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫旺 指 共青城芯鑫旺投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫盛 指 共青城芯鑫盛投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫阳 指 共青城芯鑫阳投资合伙企业（有限合伙）
沈阳盛腾 指 沈阳盛腾投资管理中心（有限合伙）
沈阳盛旺 指 沈阳盛旺投资管理中心（有限合伙）
沈阳盛全 指 沈阳盛全投资管理中心（有限合伙）
沈阳盛龙 指 沈阳盛龙投资管理中心（有限合伙）
姜谦、吕光泉、张孝勇、刘忆军、凌复华、吴飚、周仁、张
姜谦及其一致行动人 指 先智等 8 名直接持有公司股份的自然人，以及芯鑫和、芯鑫
全、芯鑫龙、芯鑫成、芯鑫旺、芯鑫盛、芯鑫阳、沈阳盛腾、
沈阳盛旺、沈阳盛全、沈阳盛龙 11 个公司员工持股平台
富创精密 指 沈阳富创精密设备股份有限公司
新松半导体 指 沈阳新松半导体设备有限公司
SEMI 指 Semiconductor Equipment and Materials
International，国际半导体产业协会
半导体制造中任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺。这层膜
薄膜沉积 指 可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。沉积膜可以是二氧
化硅、氮化硅、多晶硅以及金属。薄膜沉积设备在半导体的

前段工序 FEOL（制作晶体管等部件）和后段布线工序 BEOL
（将在 FEOL 制造的各部件与金属材料连接布线以形成电路）
均有多处应用
晶圆 指 在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛
光、金属化等特定工艺加工过程中的硅片
晶圆制造、芯片制造 指 通过一系列特定的加工工艺，将半导体硅片加工制造成芯片
的过程，一般分为前道晶圆制造和后道封装测试
晶圆厂 指 通过一系列特定的加工工艺，在硅片上加工制造半导体器件
的生产厂商
机台 指 半导体行业对生产设备的统称
公司销售活动中，部分客户要求预先验证公司生产的机台，
Demo 机台 指 待工艺验证通过后转为正式销售。Demo 机台通常是新工艺、
新机型的首台设备
Demo 订单 指 针对 Demo 机台签订的验证订单
在半导体制造的最后阶段，将一小块材料（如芯片）包裹在
封装 指 支撑外壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允许芯片连接到电
路板的工艺
处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结
先进封装 指 构封装、晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、硅通孔
技术（TSV）、2.5D 封装、3D 封装等均被认为属于先进封装
范畴
Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积，是指化学气体
CVD 指 或蒸汽在基底表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导
体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大
范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料
PECVD 指 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体
增强化学气相沉积
紫外固化，紫外固化是辐射固化的一种,是利用紫外线 UV 产
UV Cure 指 生辐射聚合、辐射交联等作用，可以有效改善薄膜的物理性
能和化学性能
ALD 指 Atomic Layer Deposition，原子层沉积
PE-ALD 指 Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition，等离子体增
强原子层沉积
Thermal-ALD 指 Thermal Atomic Layer Deposition，热处理原子层沉积
SACVD 指 Sub-atmospheric Pressure Chemical Vapor Depositi