民德电子:2024年半年度报告

深圳市民德电子科技股份有限公司
2024 年半年度报告
2024-072
2024 年 8 月

第一节 重要提示、目录和释义
公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
公司负责人许文焕、主管会计工作负责人范长征及会计机构负责人(会计主管人员)兰美红声明：保证本半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
所有董事均已出席了审议本次半年报的董事会会议。
本报告中如有涉及未来的计划、业绩预测等方面的内容，均不构成本公
司对任何投资者及相关人士的承诺，投资者及相关人士均应对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。
公司在经营中可能存在的风险因素内容已在本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“十、公司面临的风险和应对措施”部分予以描述，敬请投资者注意并仔细阅读该章节全部内容。
公司计划不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本。

目录

第一节 重要提示、目录和释义......2
第二节 公司简介和主要财务指标......7
第三节 管理层讨论与分析......10
第四节 公司治理......26
第五节 环境和社会责任......28
第六节 重要事项......30
第七节 股份变动及股东情况 ......35
第八节 优先股相关情况......40
第九节 债券相关情况 ......41
第十节 财务报告......42
备查文件目录
一、经公司法定代表人签名的 2024 年半年度报告。
二、载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的财务报表。
三、报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。
四、其他相关资料。
以上备查文件的备置地点：公司证券部

释义
释义项 指 释义内容
公司、本公司、母公司、民德电子 指 深圳市民德电子科技股份有限公司
保荐机构、主承销商 指 长城证券股份有限公司
会计师 指 立信会计师事务所(特殊普通合伙)
报告期 指 2024 年 1-6 月
报告期末 指 2024 年 6 月 30 日
上年同期 指 2023 年 1-6 月
上年末 指 2023 年 12 月 31 日
上年同期末 指 2023 年 6 月 30 日
民德自动公司 指 深圳市民德自动识别设备有限公司，本公司全资子公司
民德半导体公司 指 广东省民德半导体有限公司，本公司全资子公司
民德香港公司 指 民德（香港）电子有限公司，本公司全资子公司
君安技术公司 指 深圳市君安宏图技术有限公司，本公司控股子公司
泰博迅睿公司 指 深圳市泰博迅睿技术有限公司，本公司全资子公司
广微集成公司 指 广微集成技术（深圳）有限公司，本公司控股子公司
晶睿电子公司 指 浙江晶睿电子科技有限公司，本公司参股公司
海雅达数字科技公司 指 深圳市海雅达数字科技有限公司，本公司参股公司
民德（丽水）公司 指 民德电子（丽水）有限公司，本公司全资子公司
广芯微电子公司 指 浙江广芯微电子有限公司，本公司参股公司
芯微泰克公司 指 浙江芯微泰克半导体有限公司，本公司参股公司
丽隽半导体公司 指 江苏丽隽功率半导体有限公司，本公司参股公司
熙芯微电子公司 指 浙江熙芯微电子科技有限公司，本公司参股公司
公司章程 指 深圳市民德电子科技股份有限公司章程
元 指 人民币元，中华人民共和国法定货币单位
条码、条形码 指 通过将宽度/大小不等的多个黑条/块和白条/块按照一定的编码规则排列，用
以表达一组信息的图形标识符，包括一维码和二维码
自动识别领域对一维码扫描模组和二维码扫描模组的简称。模组是进行二次开
模组 指 发的关键部件之一，具备完整独立的条码扫描功能，可以嵌入到手机、电脑和
打印机等设备中
应用一定的识别装置，通过被识别物品和识别装置之间的接近活动，自动地获
自动识别技术 指 取被识别物品的相关信息，并提供给后台的计算机处理系统来完成相关后续处
理的一种技术
数据采集器 指 Data Terminal，即数据采集器，是将条码扫描装置与数据终端一体化，带有
电池可离线操作的终端电脑设备
半导体 指 常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，是目前电子产品中的核心材料
功率半导体 指 又称电力电子器件，是通过半导体的单向导电性实现电源开关和电力转换的电
子器件，主要包括功率器件、功率集成电路
分立器件 指 被规定完成某种基本电学功能，并且其本身在功能上不能再细分的半导体器
件，包括光电器件、传感器、功率器件等
又称电力电子功率器件，主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是进行电
功率器件、半导体功率器件 指 能（功率）处理的核心器件，弱电控制和强电运行间的桥梁。半导体功率器件
是半导体分立器件中的主要组成部分
用半导体材料制成的一种电子器件，具有单向导电性能，广泛用于各种电子电
二极管 指 路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功
能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源
电压的稳压等多种功能

肖特基、肖特基二极管、肖特基势 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管，在通信电源、变频器等
垒二极管、SBD 指 中比较常见。是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，具有反向恢
复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降更低（仅 0.4V 左右）的特点
平面工艺 指 平面工艺，一种常见的功率器件生产工艺
沟槽工艺 指 沟槽工艺，通常可以进一步提高功率器件产品的沟道密度，减小芯片尺寸，降
低导通电阻
在平面型二极管的基础上，利用了金属-半导体-硅的 MOS 效应而发明出来的一
沟槽型肖特基二极管 指 种二极管，其主要特点是随着反向电压升高，通过 MOS 效应，沟槽之间提前夹
断，电场强度在到达硅表面之前降为零，避免在表面击穿，提高了阻断能力
MOS 场效应二极管（Mos Field Effect Rectifier），是一种通过沟槽工艺制
MFER 指 备的新型的肖特基势垒二极管，其 MOS 沟槽结构很好地抑制了肖特基表面势垒
降低效应，使得其具有较高的击穿电压
快恢复二极管（简称 FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半
快恢复二极管、FRD 指 导体二极管，主要应用于开关电源、PWM 脉宽调制器、变频器等电子电路中，
作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用
基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中加入 P-N 柱相互耗尽来提高
超级结 MOS 指 耐压和降低导通电阻的器件结构，具有工作频率高、导通损耗小、开关损耗
低、芯片体积小等特点
基于屏蔽栅沟槽（Shield Gate Trench）技术，利用电荷平衡技术理论，在传
SGT-MOSFET 指 统的功率 MOSFET 中加入额外的多晶硅场板进行电场调制从而提高耐压和降低
导通电阻的器件结构，具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性好等特点
SiC 指 碳化硅，一种宽禁带半导体材料，碳化硅器件相比硅器件具有高功率密度、低